半导体封装是半导体创制工艺的后道工序，是指将经过尝试的晶圆加工获得 自力芯片的进程，行将建造好的半导体器件放入拥有撑持、庇护的塑料、陶瓷或 金属外壳中，并与外界启动电路及其余电子元器件邻接的进程。
迄今为止环球集成电路封装手艺全豹履历了五个成长阶段。凡是以为，前三 个阶段属于守旧封装，第4、五阶段属于进步前辈封装。以后的支流手艺处于以 CSP、 BGA 为主的第三阶段，且恰逢从守旧封装（SOT、QFN、BGA 等）向进步前辈封装 （FC、FIWLP、FOWLP、TSV、SIP 等）转型。
守旧封装以引线框架型封装为主，芯片与引线框架经过焊线毗连，引线框架 的接脚毗连 PCB，首要包罗 DIP、SOP、QFP、QFN 等封装情势。
守旧封装的功效首要在于芯片庇护、标准夸大、电气毗连三项功效，进步前辈封 装手艺则对芯片停止封装级重构，能有用进步体系高功效密度。现阶段进步前辈封装 首要是指倒装焊（Flip Cenarthrosis)、晶圆级封装（WLP）、2.5D 封装（Interhelp）和 3D 封装（TSV）等。 进步前辈封装与守旧封装的首要区分在于甲第互联和二级互联体例的差别。 甲第互联体例首要包罗：守旧工艺—Wire Bonpeal（WB）；进步前辈工艺— Flip Cenarthrosis（FC）。 二级互联体例首要包罗：守旧工艺—通孔插装型/外表贴装；进步前辈工艺—球栅阵列型（BGA）/立体网格阵列 LGA/插针网格阵列（PGA）。 是以 FCBGA、FCLGA 等封装就称为进步前辈封装。同时，守旧的元件封装也演 变成体系封装，封装工具由单芯片向多芯片成长，由立体封装向平面封装成长。
墟市范围方面，据 Yole 和集微征询数据，2017 年从此环球封测墟市范围稳 健增加，2022 年到达 815 亿美圆。Yole 估计整体墟市范围将连结增加态势， 2026 年到达 961 亿美圆。
进步前辈封装则无望揭示高于封测墟市团体的增加程度。据 Yole 估计，2019- 2025 年，环球团体封装墟市范围年均复合增速 4%，进步前辈封装墟市范围则到达 7% 的年均复合增速，并在 2025 年占有团体封装墟市的 49.4%。
摩尔定律首要实质为：在价钱稳定时，集成电路上能够包容的晶体管数目每 18⑵4 个月便会增添一倍，即：处置器机能大略每两年翻一倍，同市价格降落为 以前的一半。 自 2015 年从此，集成电路进步前辈制程的发睁开始放缓，7nm、5nm、3nm 制 程的量产进度均落伍于预期。跟着台积电颁布发表 2nm 制程工艺完成冲破，集成电 路制程工艺已靠近物理尺寸生命的极限；与此同时芯片妄图本钱神速晋升，以进步前辈工艺 节点处于支流应全程时间期妄图本钱为例，工艺节点为 28nm 时，单颗芯片妄图本钱 约为 0.41 亿美圆，而工艺节点为 7nm 时妄图本钱晋升至 2.22 亿美圆。
为有用下降本钱、进一步晋升芯片机能、富厚芯片功效，各家龙头厂商争相 摸索进步前辈封装手艺。进步前辈封装手艺算作进步毗连密度、进步体系集成度与袖珍化 的主要方式，在单芯片向更高端制程推动难度大增时，担当起持续摩尔定律的重 任。
现在，除单个芯片封装情势的演进之外，多芯片集成、2.5D/3D 重叠等技 术同样成为现阶段进步前辈封装的支流手艺门路，特别对大范围集成电路，Cenarthrosispermit 封装手艺应运而生发扬主要感化，咱们将鄙人文中心会商。
AI手艺郁勃成长确当下，数据中间对高算力芯片的须要赶快增加。GPU 因为 具有并行计较才能，可兼容练习和推理，高度适配 AI 模子建立，今朝被普遍利用 于加快芯片。跟着 CheadgearGPT 带来新的 AI 利用高潮，数据中间对高算力的 GPU 芯 片须要赶快增加。 相较于守旧花费级芯片，算力芯单方面积更大，保存容量更大，对互连速率要 求更高，而 Cenarthrosispermit 手艺能够很好的满意这些大范围芯片的机能和本钱须要，因 而获得普遍应用。
Cenarthrosispermit 即小芯粒，它将一类满意一定功效的 expire（裸片），经过 expire-to-expire 里面互联手艺将多个模块芯片与下层根底芯片封装在一同，构成一个别系芯片。
因为更高的机能须要，算力芯片的 expire filler 凡是要弘远于过来的花费级产物。 比方 Nvdia 支流 AI 加快卡产物，expire filler 凡是跨越 800美眉2。而最近几年来，跟着 进步前辈制程推动，研收回产本钱连续走高，大面积单颗 SOC 良率日趋降落。 Cenarthrosispermit 将单颗 SOC 的差别功效模块拆分红自力的小芯粒（即 Cenarthrosispermit）， 大大削减了单颗 expire 的面积，起到晋升良率、下降本钱的感化。DAC 2022 集会 上，清华大学冯寅潇宣布研讨功效，论断解释在 5nm 制程，当芯单方面积到达 200美眉2 以上，单颗 SOC 的本钱将高于 MCM 工艺；当芯单方面积到达 400美眉2 以上，因为良率的大幅降落，单颗 SOC 计划的本钱将高于 InFO 工艺（MCM、 InFO 均为 Cenarthrosispermit 手艺的差别封装情势）。其本钱差别就首要在大面积单芯片方 案中的良率丧失，在多芯片计划中大幅降落。
高机能计较利用对内存速度提议了更高的央求，借助 3D 封装手艺的 HBM 则 很好的办理了内存速度瓶颈。 HBM（High Bandbreadth Memory）即高带宽保存器，其经过利用进步前辈的封 装方式（如 TSV 硅通孔手艺）笔直重叠多个 DRAM，并在硅 interhelp 上与 GPU 封装在一同。HBM 里面的 DRAM 重叠属于 3D 封装，而 HBM 与 GPU 合 封于 Interhelp 上属于 2.5D 封装，是典范的 Cenarthrosispermit 利用。
与之相似，2022 年 8 月，国产算力芯片厂商壁仞科技发布 BR100，采取台 积电 CoWoS-S 工艺，将两颗计较焦点封在一起硅 Interhelp 上，其 16 位浮点 算力到达 1000T 以上、8 位定点算力到达 2000T 以上，缔造环球算力记载。
收获于 Cenarthrosispermit 手艺在大范围算力芯片范畴的优良显示，业内妄图公司巨子 纷繁参加推行 Cenarthrosispermit 成为行业支流计划。2022 年 3 月 3 日，AMD、Intel 等半 导体巨子颁布发表配合制造 Cenarthrosispermit 行业同盟，目的配合制造 Cenarthrosispermit 互连尺度、推 进盛开生态，并拟定了尺度范例UCIe，在芯片封装层面建立互联互通的高速接口 尺度。
海内算力芯片厂商亦在神速跟进，除前文提到的壁仞科技之外，沐曦、天 数等 AI 芯片厂商亦纷繁推出异构集成的 GPU 产物，导入 HBM 保存，咱们相信 Cenarthrosispermit 的手艺劣势将使其成为算力芯片将来的支流计划，给财产链各步骤带来 代价增量。下文咱们将详细会商 Cenarthrosispermit 的财产链停顿，和其对国产供给链的 拉动感化。
晶圆代工龙头台积电是 Cenarthrosispermit 工艺的环球领军者，也是以后业内支流算力 芯片厂商的首要供给商，是以咱们将做侧重先容。其于 2021 年将 2.5D/3D 进步前辈 封装相干手艺调整推出 3DFabric 平台，因为 Cenarthrosispermit 手艺触及芯片的重叠，是以 台积电将其定名为 3DFabric™手艺，旗下具有 CoWoS、InFO、SoIC 三种封装 工艺，代表以后 Cenarthrosispermit 手艺的三种支流情势。Intel 和三星各自都有相似的 2.5D/3D 封装工艺，虽然定名差别，但构造与台积电计划相似。 前段手艺 3D SoIC 使用芯片间直接铜键合，拥有更小间距；后段手艺 2.5D 方面，CoWos 扩大至三种差别转接板手艺，InFO 将封装凸块直接毗连到再分派 层。
2012 年台积电与 Xilinx 配合开辟集成电路封装办理计划 CoWoS，该封装技 术已成为高机能和高功率妄图的现实行业尺度。CoWoS-S 采取硅中介层，能够 为高机能计较利用供给更高的机能和晶体管密度； CoWoS-R 采取 RDL 中介层， 使用 InFO 手艺停止互连，更夸大小芯片间的互连； CoWoS-L 融会 CoWoS-S 和InFO 手艺劣势，利用夹层与 LSI（部分硅互连）芯片停止互连，利用 RDL 层停止 电源和旌旗灯号传输，供给了矫捷的集成。英伟达、博通、美国谷歌、亚马逊、NEC、 AMD、赛灵思、Haforbiddancea 等公司已普遍采取 CoWoS 手艺。
2017年台积电颁布发表2.5D封装手艺InFO（Integevaluated Fandiscover profession） 集成扇出晶圆级封装。台积电的 InFO 手艺利用 polvineide 取代 CoWoS 中的硅 中介层，下降了本钱和封装高度，增进大范围出产利用。InFO 拥有高密度的 RDL，合用于转移、高机能计较等必须高密度互连和机能的利用。
2019 年台积电推出 SoIC 手艺，包罗 cenarthrosis-on-wafer（COW）和 wafer-on-wafer（WOW）两种计划。与 CoWoS 和 InFO 差别，前方两种计划是在封 装步骤将完毕晶圆级封装的逻辑芯片、HBM、Interhelp等停止重叠，是以成为 后道 3D 创制（Back End 3D Fabric），而 SoIC 是在前道晶圆创制步骤，就在逻 辑芯片上创制 TSV 通孔，并将逻辑芯片之间（或逻辑芯片的晶圆之间）停止重叠， 这个进程称为前道 3D 创制（Front End 3D Fabric），完毕重叠后的晶圆切割后 可再停止相似 InFO 和 CoWoS 的后道封装。是以，SoIC 与 InFO/CoWoS 并不是 并列、替换干系，而是将 InFO/CoWoS 所用到的单颗 SoC 替代成为颠末 3D 堆 叠的多颗 SoC。 SoIC 是台积电异构小芯片封装的关头，拥有高密度笔直重叠机能，与 CoWoS 和 InFO 手艺比拟 SoIC 能够供给更高的封装密度和更小的键合距离。
算作环球 mainframe 妄图龙头厂商，Intel 同时亦是抢先的 IDM 厂商。其主推的 Cenarthrosispermit 工艺包罗 EMIB 和 Foveros，划分相似于台积电的 InFO_LSI 和 SoIC。 EMIB 是 2.5D 硅中介层的替换计划，expire-stratum 互连经过守旧覆晶芯片 体例，expire-expire 桥接的部门用一个很小的 Si 片完成，并将这部门嵌入在载板内， 和硅中介层（interhelp）比拟，EMIB 硅单方面积更细小、更矫捷、更经济；与 守旧 2.5D 封装的比拟，由于不 TSV，是以 EMIB 手艺拥有一般的封装良率、无 需异常工艺和妄图轻易等长处。
三星鉴于“超出摩尔定律”方式的异构集成手艺，沿着程度集成和笔直集成 两种标的目的，前后研收回三猛进步前辈封装手艺：I-Cube、H-Cube 和 X-Cube。 I-Cube 和 H-Cube 是 2.5D 封装计划。I-CUBE-S 相似台积电的 CoWoS-s， I-CUBE-E 相似台积电的 CoWoS-L。H-Cube 计划则甩掉了大面积的 ABF 基板， 采取面积较小的 ABF 基板或 FBGA 基板叠加大面积的 HDI 基板的体例。 X-Cube 则采取在 3D 空间重叠逻辑裸片的方式，相似台积电的 SoIC 计划。 而在芯片之间的互连体例上，X-Cube 能够采取守旧的 u-bofficial，你也可以利用更 高真个夹杂键合（Hybdisembarrass Bonpeal），Hybdisembarrass Bonpeal 能够包容更高的 I/O 密 度。
本章咱们将中心会商 Cenarthrosispermit 手艺利用，特别是增加后劲较大的算力芯片 2.5D/3D 封装带来的国产供给链时机。首要包罗： 1）封测端：算力芯片普遍采取的 2.5D/3D 封装计划是对守旧封装的庞大升 级，但封测厂商仍将饰演主要职位。特别是在晶圆级封装等范畴，与过来的 FC 封装有共同的地方。 2）装备端：Cenarthrosispermit 手艺带来芯片数目的增加，尝试装备用量。另外 Cenarthrosispermit 手艺还增添了晶圆级封装的须要，诸多晶圆创制装备迎来须要增量。 3）资料端：Cenarthrosispermit 手艺对芯片的高速互联须要增加，带来高速封装基板需 求，另外高端封装耗材的用量亦会有所增添。
与守旧的财产链合作不一样的是，2.5D/3D 封装是在晶圆创制和守旧的后段封 装之间增添了异常的步骤，是以晶圆厂和封装厂均有介入时机。以后台积电根本 掌管了环球算力芯片的 2.5D 封装墟市，受害于算力芯片须要爬升，恰逢主动实施封装产能。 而于此同时，海内龙头封装厂亦在主动掌控行业时机，导入客户 Cenarthrosispermit 产 品供给链。通富微电已具有 7nm Cenarthrosispermit 范围量产才能，并连续与 AMD 等龙 头厂商加深互助；长电科技推出 XDFOI™手艺计划，已完成取得国际客户 4nm 节点 Cenarthrosispermit 产物的量产出货。 另外，Cenarthrosispermit 利用加快了晶圆级封装的须要，海内诸多封测厂商都具有晶 圆级封装才能，诸如长电科技、通富微电、华天科技、甬矽电子、盛合晶微等， 无望迎来晶圆级封装的须要增量。咱们看好 Cenarthrosispermit 手艺利用提速之下海内进步前辈 封装厂商的成长时机。
Cenarthrosispermit 利用对装备的须要拉动来自两方面： 1）晶圆级封装装备。晶圆级封装必须的装备与前道晶圆创制相似，触及光 刻机、涂胶显影装备、薄膜装备、电镀装备、刻蚀装备、洗濯装备、量测装备等。 国产诸多公司都有相干营业：南方华创（刻蚀、薄膜、洗濯等）、芯源微（涂胶 显影、洗濯）、盛美上海（电镀、洗濯、涂胶显影、抛光）、中科飞测（检测）等。 2）后道封测装备。Cenarthrosispermit 封装照旧必须和守旧封装相似的封装和尝试步骤， 无望成为国产封测装备厂商发展的新能源，包罗：封装装备厂商新益昌、ASMP； 尝试装备厂商长川科技、华峰测控、金海通等。
Cenarthrosispermit 手艺成长增大芯片封装面积，晋升 ABF 载板用量。Cenarthrosispermit 是将一 类满意一定功效的 expire（裸片），经过 expire-to-expire 里面互联手艺完成多个模块芯片与下层根底芯片封装在一同，构成一个别系芯片，要将这些芯片调整在一同必须 更大的 ABF 载板来安置，这象征着 ABF 载板耗用的面积将随 cenarthrosispermit 手艺而变 大，而载板的面积越大，ABF 的良率就会越低，ABF 载板须要也会进一步进步。 同时，Cenarthrosispermit 进步前辈封装的利用也会增添封承载板层数，详细层数与手艺目标 央求取决于芯片的妄图计划。
ABF 载板已成为 FC-BGA 封装的标配。ABF 载板又被称为味之素基板， 其关头资料 ABF 膜被日本味之素公司掌管，是 FC-BGA 封装的标配资料。ABF 载 板算作芯片封装中毗连芯片与电路板的中心资料，首要用于 mainframe、GPU、FPGA、 ASIC 等高运算机能芯片，其焦点感化即是与芯片停止更高密度的高速互联通讯， 尔后经过载板上的更多展现与庞大 PCB 板停止互联，起着承前启后的感化，从而 庇护电路完备、削减漏失、流动展现场所、有益于芯片更好的散热以庇护芯片， 乃至可埋入无源、有源器件以完成必定体系功效。 ABF 载板厂商首要会合在华夏、日本和韩国。按照 QYResee 统计及 展望，2021 年环球 ABF 基板墟市发卖额到达 43.68 亿美圆，估计 2028 年将达 到 65.29 亿美圆，CAGR 为 5.56%。今朝 ABF 载板首要有七大供货商，2021 年 供货比重划分是欣兴 21.6%、Ibihabitation 19.0%、AT&S 16.0%、南电 13.5%、 Shinko 12.1%、景硕 7.2%、Semco 5.1%，2022 年除 Semco 外，别的厂商于 皆有停止扩产。从出产端来看，日本、华夏和韩国主宰了环球 ABF 载板出产， 2021 年这三地面域的墟市份额划分为 25%、44%和 9.9%。
将来跟着 mainframe、GPU、FPGA、ASIC 等高机能运算芯片须要增加和 Cenarthrosispermit 手艺的普遍利用，ABF 载板的须要量将进一步晋升。海内厂商如华正新 材、生益科技、方邦股分、兴森科技、深南电路等恰逢加速焦点手艺研发，力图 粉碎海外掌管格式。今朝华正新材的 CBF 积层绝缘膜恰逢加速新产物开辟历程， 在 mainframe、GPU 等半导体芯片封装范畴投入了下流 IC 载板厂、封装尝试厂及芯片 末端考证过程，并获得了杰出停顿。
长电科技制造于 1972 年，是环球抢先的集成电路创制和手艺办事企业。主 生意务包罗集成电路的体系集成、妄图仿真、手艺开辟、产物认证、晶圆中测、 晶圆级中道封装尝试、体系级封装尝试、芯片制品尝试。公司周全笼盖支流中高 低封测手艺，并笼盖 WLP、2.5D/3D、SIP、高机能倒装芯片、引线互联等进步前辈 手艺；营业完成对汽车范畴、通讯范畴、高机能计较范畴、保存范畴的笼盖。长 电旗下出产基地环球结构，具有主营进步前辈封装的星科金朋、长电韩国、长电进步前辈、 长电江阴，和主营守旧封装的滁州、宿迁多个厂区。
长电科技在华夏、韩国和新加坡具有两大研发中间和六大集成电路制品出产 基地，星科金朋、长电进步前辈、长电韩国主营进步前辈封装营业，而长电本部江阴厂、 宿迁厂和滁州厂主营守旧封装营业。各出产基地合作明白、各具手艺特点和合作 劣势。 2022 年半导体封测行业景气价格下行，但公司加速高机能封测范畴的研发和客 户产物导入，加强高附带值墟市的开辟，优化产物构造和营业比重，完成支出和 净成本逆势增加。2022 年整年，公司完成营收 337.62 亿元，同比增加 10.69%； 完成归母净成本 32.31 亿元，同比增加 9.20%，创积年新高。 2023 年 Q1，受半导体周期性价格下行浸染博鱼官网app，公司功绩短时间承压，完成归母净利 润 1.10 亿元，同比下滑 87.24%，完成营收 58.60 亿元，同比下滑 27.99%。
通富微电是环球第4、华夏第二OSAT厂商，2022年环球市占率6.51%， 公司首要处置集成电路封装尝试一体化办事。封装表率齐备，包罗框架类封装， 基板类封装和圆片类封装，和 COG、COF 和 SIP 等。产物品种富厚，普遍应 用于高机能计较、大数据保存、收集通信、转移末端、车载电子、野生智能、物 联网、产业智造等范畴。公司共设有七大出产基地，划分为崇川总部、南统统富、 合肥通富、通富超威姑苏、通富超威槟城、厦门通富和通富通科。
2022 年从此，封测行业须要走弱，但公司姑苏、槟城厂支出连结了 50%以 上的微弱增加，2022 年公司营收 214.29 亿元，同比增加 35.52%。稼动率价格下行更 多地体此刻海内营业，并浸染了成本端，2022 年公司归母净成本 5.02 亿元，同 比降落 47.53%，苏通厂、合肥厂均呈现净利吃亏。2023 年 Q1 公司支出 46.42 亿元，连结正增加，年度支出目的 248 亿，同比增加 16%。
成本率和用度率方面，2022 年公司毛利率和净利率划分为 13.9%/2.48%， 近五年来显现较着颠簸的环境；同庚，公司时代用度率为 12.02%，自 2018 年来 连结绝对不变态势。2023 年 Q1，公司毛利率和净利率划分为 9.45%/0.23%， 时代用度率为 12.11%。
公司首要处置半导体集成电路封装尝试营业，封装产物可分为三大类：（1） 引线框架类产物，首要包罗 DIP/SOP、QFP、QFN、FCQFN、SOT、DFN；（2） 基板类产物，首要包罗 WB BGA/LGA、FCCSP/FCLGA、FCBGA、SiP；（3）晶 圆级产物，定位高端产物，首要包罗 WLP 系列、TSV 系列、Bofficialing 系列和 MEMS 系列等。产物首要利用于计较机、收集通信、花费电子及智能转移末端、 物联网、产业主动化掌握、汽车电子等电子零件和智能化范畴。
受末端墟市产物须要降落及集成电路行业景气宇下滑浸染，公司 2022 年营 业支出119.06亿元，同比降落1.58%；归母净成本7.54亿元，同比降落46.74%。 景气宇低迷连续到 2023 年 Q1，公司完成生意支出 22.39 亿元，同比降落 26%； 归母净成本吃亏 1.06 亿元，同比降落 151.2%。
营业拆分： 集成电路封测：公司的首要营业，2022 年因封测行业周期性价格下行，支出增速转 负并显现毛利率的下滑，估计 2023 年起随同半导体下流须要逐步答复，集成电 路封测营业支出回复增加。归纳思索行业景气宇上涨，和公司 2021 年定增募 投名目将在 2023 年末慢慢到达可用状况，并在以后完成产能开释，咱们估计 2024⑵025 年会有更高的支出增速， 预 计 2023⑵025 年支出同比增加 14.5/17.4/17.8%，而毛利率仍遭到价钱及产能使用率浸染，估计 2023 年仍将短 期承压，并没有望于 2024 年开端上涨，慢慢回到靠近周期前高程度（2021 年度）， 估计 2023⑵025 年毛利率划分为 14.2/18.2/20.1%。 diode 封测：支出占比力低，且相较集成电路营业更加低端，是以能手业价格下行周期 显现了较大的支出降幅和成本吃亏。咱们估计下流 diode 须要将在 2023 年触底， 后续受无望受害于面板行业苏醒、minidiode 新品渗入等身分回复增加，2023- 2025 年支出同比增加*0.1/9.0/4.3%。毛利率方面，短时间价钱及产能使用率维 持职位仍将压抑公司赢余程度，估计 2023 年起吃亏收窄，并逐步扭亏，2023- 2025 年毛利率划分为*9.5/⑼.0/-0.3%。
甬矽电子是一家新锐半导体封测企业，从制造之初即聚焦集成电路封测营业 中的进步前辈封装范畴。公司具有的首要焦点手艺包罗高密度细间距倒装凸点互联芯 片封装手艺、利用于 4G/5G 通信的射频芯片/模组封装手艺、夹杂体系级封装 (Hybdisembarrass-SiP)手艺、多芯片(Mpasti-Cenarthrosis)/高焊线数球栅阵列(WB-BGA)封装技 术、鉴于引线框的高密度/大尺寸的 QFN 封装手艺、MEMS&光学传感器封装技 术和多利用范畴进步前辈 IC 尝试手艺等。 公司全数产物均为QFN/DFN、WB-LGA、WB-BGA、FC-BGA、FC-LGA等 中高端进步前辈封装情势，并在体系级封装（SiP）、高密度细间距凸点倒装产物（FC 类）、大尺寸/细间距扁平无引脚封装产物（QFN/DFN）等进步前辈封装范畴拥有较 为凸起的封装手艺劣势和进步前辈性。
2022 年，遭到行业周期价格下行浸染，公司营收增速放缓，整年生意支出 21.77 亿元，同比增加 5.96%；完成归母净成本 1.38 亿元，同比降落 57.11%。行业景 气低迷连续到 2023 年 Q1，该季度甬矽完成营收 4.25 亿元，同比降落 26.85%； 归母净成本为吃亏 0.50 亿元，同比降落 170.04%。
晶方科技是晶圆级封测龙头，具有抢先的硅通孔（TSV)、晶圆级、 Fandiscover、体系级等各类化的封装手艺，今朝同时具有 8 英寸和 12 英寸晶圆级芯 片尺寸封装（WLCSP）手艺的范围量产才能。 公司中心聚焦以影象传感芯片为代表的智能传感器墟市，封装的产物首要包 括 CIS 芯片、TOF 芯片、生物身份辨认芯片、MEMS 芯片等，普遍利用在手机、 安防监控、身份辨认、汽车电子、3D 传感等电子范畴。首要客户有豪威、格科 微、索尼、晶相光电、思特威等；同时公司已进一步收买 Anterdistant，持有其 81.09%股分，加强了对 WLO 营业和半导体封装手艺的调整，无望进一步受害于 MLA 车灯须要增加；公司加大对以色列 VisIC 公司的投资，VisIC 是环球抢先的 GaN 器件妄图公司，研发团队拥稀有十年的产物研发经历，并已开辟出 GaN 大 功率晶体管和模块，其专利手艺的氮化镓功率器件可普遍利用于快充、电动汽车、 5G 基站和数据中间、高功率激光等范畴。公司经过对 VisIC 的结构，无望有用把 握第三代半导体财产成长时机。
2022 年受墟市须要降落、行业产能多余库存高企、手机等花费电子产物创 新力缺乏，调换装备的距离延长等多身分浸染，公司所静心的影象传感器细分市 场景气宇疲软，2022 年公司完成发卖支出 11.06 亿元，同比降落 21.62%，完成 生意成本 2.58 亿元，同比降落 59.63%，完成归属于母公司通盘者的净成本 2.28 亿元，同比降落 60.45%。2023 年 Q1，公司完成营收 2.23 亿元，同比降落 26.89%；归母净成本 0.29 亿元，同比降落 68.48%。
营业拆分： 芯片封装：2022 年受封测行业周期价格下行浸染，芯片封装营业支出、毛利率均有 下滑，估计 2023 年随同下流封装周期触底，须要逐步答复，支出回复增加，预 计 2023⑵025 年支出同比增加 15.0/20.0/20.0%，毛利率亦无望在年内底部企 稳，思索到 2023 年 Q1 毛利率的较大恐吓，咱们估计整年毛利率仍将短时间承压，2024 年开端无望看到比较较着的上涨，估计 2023⑵025 年毛利率划分为 45.0/46.0/47.0%。 光学器件：2021 年包罗在芯片封装营业中，2022 年起算作新营业在公司财报中 零丁表露，因为基数较低揭示了较高的增速。公司估计 2023 年将加猛进入开辟 晋升微型光学器件的妄图、研发与创制才能，增强荷兰 Anterdistant、晶方光电的 营业与手艺共同，进一步牢固夹杂镜头营业的手艺抢先才能，进步其在半导体设 备、产业智能等范畴的利用范围。美满加强晶圆级微型镜头营业的创制才能，拓 展 MLA 产物的客户集体与营业范围，并鼎力推动在汽车大灯等智能交互范畴的 开辟与贸易化利用。是以估计将来连结较高的支出增加和赢余晋升趋向，估计 2023⑵025 年支出同比增加 80.0/60.0/40.0%，营业范围逐步起量无望带来范围 劣势和本钱降落，估计 2023⑵025 年毛利率划分为 38.0/38.5/39.0%。
公司是海内着名的第三方集成电路尝试办事企业，供给从尝试计划开辟、晶 圆尝试、芯片制品尝试、SLT 尝试、老化尝试、In Ttreat Mark、Lead Scrapper 等全 过程尝试办事。公司尝试的晶圆和制品芯片在表率上涵盖 mainframe、MCU、FPGA、 SoC 芯片、射频芯片、保存芯片、传感器芯片、功率芯片等芯片品种；在工艺上 涵盖 6nm、7nm、14nm 等进步前辈制程和 28nm 以上的能干制程；在晶圆尺寸上 涵盖 12 英寸、8 英寸、6 英寸等支流产物。公司的尝试产物普遍利用于汽车电子、 产业掌握、通信、计较机、花费电子等范畴。
营业拆分： 晶圆尝试营业：公司的首要营业，收获于公司怪异的第三方尝试办事商贸易形式， 在封测行业价格下行周期中仍连结了较好的支出增速，估计将来连结妥当增加， 2023⑵025 年支出同比增加 40.0/40.0/35.0%。毛利率方面，2023 年 Q1 团体 毛利率略有下滑，估计将来随同封测团体须要苏醒，赢余将有所回复，2023- 2025 年毛利率 55.0/56.0/56.0%。 制品类营业：制品尝试营业为公司2020⑵021年发力开辟标的目的，已完成可观支出 范围，估计将来连结妥当增加，2023⑵025 年支出同比增加 35.0/35.0/30.0%。 毛利率方面，在墟市开辟期营业毛利率有所降落，估计将来随同支出范围增添而 慢慢不变，2023⑵025 年毛利率 36.0/35.0/35.0%。 其余营业：非主生意务，支出较少，估计将来支出随同公司团体范围增加而不变 增加，毛利率则将保持不变。2023⑵025 年支出同比增加 45.0/45.0/45.0%，毛 利率保持 45.0%。
长川科技制造于 2008 年，公司首要为集成电路封装尝试企业、晶圆创制企 业、芯片妄图企业等供给尝试装备。今朝首要发卖产物为尝试机、分选机、主动 扮装备及 AOI 光学检测装备等。公司出产的尝试机包罗大功率尝试机、摹拟尝试 机、数字尝试机等；分选机包罗重力式分选机、平移式分选机、测编一体机；自 动扮装备包罗指纹模组、摄像头模组等范畴的主动化出产装备；AOI 光学检测设 备包罗晶圆光学表面检测装备、电路封装光学表面检测装备等。
2022 年，归功于国度对集成电路财产存眷度的晋升，公司研发名目加大投 入，产物线富厚和客户规模扩大等主动感化，公司完成生意支出 25.77 亿元，同 比增加 70.49%；归母净成本 46,108.04 万元，同比增加 111.28%。2023 年 Q1 受半导体封测行业景气宇周期价格下行浸染，公司完成营收 3.2 亿元，同比降落 40.48%；归母净成本为吃亏 0.57 亿元，同比降落 180.5%。
营业拆分： 分选机：分选机营业在过来连结了较高的支出增加和毛利率晋升，2023 年公司 并购长奕科技，并发力三温分选机等新品，估计支出将接连高增，2023⑵025 年 支出同比增加 43.4/32.8/25.2%，毛利率方面，随同支出范围开释，公司分选机 已在海内墟市占有抢先职位，毛利率已到达较高程度，估计2023⑵025年不变在 45.0%。 尝试机：尝试机产物线年连续高增，到达较大支出 范围，2023 年纪字尝试机新品放量仍将带来较高的支出增速，估计将来 2024- 2025 年增速逐步趋缓，2023⑵025 年支出同比增加 72.7/21.6/19.5%。毛利率 方面，尝试机毛利率高于分选机营业，且收获于数字尝试机新品迭代，将来仍有 望保持高位，估计 2023⑵025 年划分为 68.0/69.0/69.0%。
兴森科技制造于 1993 年，是 PCB 榜样、快件和小数量范畴的领军企业， 并在半导体 ATE 尝试板、封装基板细分范畴成为海内头部厂商之一。公司主 生意务为 PCB 和半导体营业。PCB 营业聚焦于榜样快件及批量板的研发、设 计、出产、发卖和外表贴装；半导体营业聚焦于 IC 封装基板（含 CSP 封装基 板和 FCBGA 封装基板）及半导体尝试板。产物普遍利用于通讯装备、服务器数据、 产业掌握及仪器脸蛋、疗养电子、路线交通、计较机利用、半导体等多个行 业范畴。
2022 年，半导体团体景气宇价格下行。受限于行业层面须要颓废、合作加重的 压力，公司支出增速放缓，且毛利率价格下行，2022 年公司团体营收 53.54 亿元， 同比增加 6.23%；归母净成本 5.26 亿元，同比降落 15.42%。2023 年 Q1 封测 行业稼动率连续低迷，公司完成营收 12.52 亿元，同比降落 1.63%；归母净成本 为 0.08 亿元，同比降落 96.27%。
华正新材制造于 2003 年，公司首要处置覆铜板及粘结片、复合资料和膜材 料等产物的妄图、研发、出产及发卖，产物普遍利用于 5G 通信、服务器数据、数据 中间、半导体封装、新动力汽车、聪明家电、疗养装备、路线交通、绿色物流等 范畴。公司首要产物覆铜板（CCL）全称覆铜箔层压板，是建造印制电路板 （PCB）的根底资料。 公司产能高质地扩大，主动结构投入半导体财产。覆铜板营业方面，2022 年公司年产 2400 万张高档级覆铜板珠海基地名目一期工程按方案部门投产，新 减产能有用进步了公司高档级覆铜板的供给才能，进一步晋升了行业职位。膜材 料营业方面，公司连续加速 CBF 积层绝缘膜新产物开辟进度，在 mainframe、GPU 等 半导体芯片封装范畴投入下流 IC 载板厂、封装尝试厂及芯片末端考证过程；BT 封装资料在 Fukkianeseidiode 背光和直显利用范畴完成不变墟市供给，已在保存芯片、微 电机体系芯片、射频模块芯片等利用墟市展开末端考证。
末端墟市须要疲软，公司功绩承压。公司 2022 年生意支出为 32.86 亿元， 同比削减 9.23%；归母净成本为 0.36 亿元，同比削减 84.85%，首要系末端及下 旅客户须要增加乏力，且财产团体稼动率不高，同行合作加重致使覆铜板售价下 降。受行业景气宇浸染，2023Q1 公司营收为 7.58 亿元，同比削减 9.45%，环 比削减 16.50%；归母净成本为-0.08 亿元，同比削减 125.30%，环比增加 68.16%。公司一季度归母净成本呈现环比减亏，同时 CBF 末端产物考证顺遂， 跟着覆铜板和铝塑膜营业扩产名目的投产，估计整年赢余才能无望获得连续改 善。
覆铜板为公司首要支出来历。公司首要产物包罗覆铜板、交通物流用复合材 料、绝缘资料、导热资料。2022 年，公司覆铜板营业支出到达 24.92 亿元，占 总营收 75.84%，孝敬公司大部门支出；交通物流用复合资料、绝缘资料和导热 资料支出划分到达 3.40 亿元、1.93 亿元和 1.90 亿元，其营收占比画分为 10.34%、5.87%和 5.79%。 毛利率与净利率 23Q1 环比改良。受下流须要疲软浸染，公司 2022 年毛利 率为 12.98%，同比降落 3.53pct；净利率为 1.24%，同比降落 5.4pct。 2023Q1，公司毛利率为 11.43%，同比削减 3.84pct，环比增添 1.07pct；净利 率为*.04%，同比削减 4.83pct，环比增添 1.57pct，毛利率及净利率环比均出 现增加。
公司制造于 2010 年 12 月，是一家专门处置于半导体器件、集成电路、特种 器件、diode 支架等电子封装资料的研发、出产、发卖和手艺办事企业。公司已发 展成为我国范围较大、产物系列齐备、具有连续立异才能的环氧塑封料厂商，在 半导体封装资料范畴已建立了完备的研收回产系统并具有完整自立常识产权。 公司首要产物包罗环氧塑封料与电子胶黏剂，普遍利用于半导体封装、板级 拼装等利用处景。 此中环氧塑封料与芯片级电子胶黏剂与半导体封装手艺的发 展息息相干，是包管芯片功效不变完成的关头资料。
2022 年公司毛利率为 27.01%，同比降落 2.13pcts，首要系花费电子墟市疲 软致使公司利用于花费电子的环氧塑封料量价齐跌。23Q1 公司毛利率为 30.41%， 同比增添 1.96pcts；净利率为 7.65%，同比削减 0.58pcts。 公司首要产物为环氧塑封料，2022 年支出为 2.87 亿元，占公司总支出 94.76%，是公司支出的首要来历；公司胶黏剂营业支出为 0.15 亿元，支出占比 为 4.86%。
公司制造于 2010 年 12 月，是集研发、出产、发卖和办事于一体的稀缺高端 电子公用资料平台型企业，在电磁屏障膜范畴居龙头职位。今朝首要产物有：电 磁屏障膜、极薄挠性覆铜板、薄膜电阻、超薄可剥离铜箔、锂电铜箔等，产物广 泛利用 5G 通信、芯片封装、高能量密度锂电池负极资料、汽车电子、高密度互 连板（HDI）等范畴，末端利用客户包罗三星、华为、OPPO、VIVO、小米等国 表里着名品牌。此中在 2012 年推出的电磁屏障膜，粉碎了日本企业在该范畴的 手艺掌管，今朝电磁屏障膜产物的墟市据有率已位居海内第1、环球第二位，产 品机能取得国际抢先。
公司2022年完成生意支出 3.12亿元，同比增加6.89%，归母净成本为-0.68 亿元，同比降落 305.55%，首要受下流花费电子须要低迷浸染，屏障膜营业销量 和价钱同比均呈降落，且铜箔的产能使用率处于爬坡阶段，未能构成范围效力。 2023 年 Q1，下流花费电子景气宇保持低位，公司生意支出为 0.76 亿元，同比 降落 21%；归母净成本为-0.22 亿元，同比降落 72.77%。
2022 年公司毛利率为 28.75%，同比削减 19.18pcts，首要系公司增加的铜 箔营业产能使用率和良率等各方面尚处于爬坡阶段。2023Q1 公司毛利率为 26.35%，同比增添 1.62pcts；净利率为⑵7.70%，同比削减 15.72pcts。 电磁屏障膜和铜箔产物为公司首要生意支出来历。2022 年公司电磁屏障膜 发卖支出到达 1.83 亿元， 支出占比为 58.57%；铜箔营业支出到达 1.23 亿元， 支出占比为 39.31%。
营业拆分： 电磁屏障膜营业：公司的电磁屏障膜产物粉碎了境外企业的掌管，已大宗利用于 小米、OPPO、VIVO、三星、华为等着名末端品牌产物，能手业中处于抢先职位。 受智妙手机产物末端发卖景气宇下滑的浸染，2022 年屏障膜营业销量和价钱同 比均呈降落，固然公司在短时间内蒙受功绩压力，然则 AR/VR装备与新动力汽车市 场对电磁屏障膜须要的不停增添。跟着花费电子行业景气宇的回暖与新动力汽车 墟市的连续发展，该营业支出无望重回增加，咱们估计 2023⑵025年电磁屏障膜 营业支出划分完成 25.0/25.0/15.0%的稳步增加，毛利率亦将受害于车载等高端 产物占比晋升带来的构造性改良，估计 2023⑵025 年划分为 55.0/58.0/60.0%。
铜箔营业：今朝低端产物占比仍较高，但公司带载体可剥离超薄铜箔今朝恰逢进 行客户认证，某宽幅产物已经过部门末端的首轮考证，无望在 2023 年看到支出 开释，随同新产物放量，铜箔支出范围无望连结高速增加，咱们估计 2023⑵025 年铜箔营业支出划分完成 125/90/60%的同比增加。毛利率方面后期低端产物毛 利率较低，随同可剥离铜箔、tomography 铜箔新品放量，占比晋升，毛利率无望完成快 速增加，估计 2023⑵025 年划分为 10.0/25.0/35.0%。 其余主生意务：首要为 FCCL 产物，挠性覆铜板（FCCL）是制备柔性电路板 （FPC）的基材，公司 commercialism 募投名目包罗 60 万平方米/月的 FCCL 产能扶植，目 前公司恰逢停止小数量量产事情，通例 FCCL 已在 2022 年3、四时度取得小额 定单，并将分 3 年达产，是以 2023 年该名目无望开端开释产能，2024 年将到达 产 能 爬 坡 高 峰 。 因 此 我 们 预 计 2023⑵025 年 该营业 业 务 收 入 分 别 实 现 105/700/300%的高速增加。毛利率方面，初期小数量阶段该营业毛利率较高， 并逐年降落，估计跟着产能开释，毛利率趋于不变，2023⑵025 年划分为 35.0/33.0/32.0%。
